[实用新型]采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构有效
| 申请号： | 201620828858.1 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN206148464U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 吴真龙;田宇;郑建钦;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构，属于半导体光电子领域。本实用新型结构包括衬底层、成核层、AlN层、N型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、复合电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层。其结构特点是，所述复合电子阻挡层分为两层，其与多量子阱有源层接触一侧为AlN阻挡层，其与P型AlGaN层接触一侧为高Al组分AlzGa1‑zN阻挡层，y<z<1。同现有技术相比，本实用新型能有效增加电子阻挡层的电子阻挡能力，又不损害空穴注入到有源区的效率，最终可以极大提高深紫外LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 复合 电子 阻挡 深紫 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构，它包括衬底层（1）、成核层（2）、AlN层（3）、N型AlGaN层（4）、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层（5）、复合电子阻挡层（6）、P型AlGaN层（7）和P型GaN层（8），其特征在于，所述复合电子阻挡层（6）分为两层，其与多量子阱有源层（5）接触一侧为AlN阻挡层（601），其与P型AlGaN层（7）接触一侧为高Al组分AlzGa1‑zN阻挡层（602），y<z<1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司，未经南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620828858.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高均匀性的红光LED外延结构
- 下一篇：一种高效立体LED光源
