[实用新型]采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构

权利要求书

1.采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构，它包括衬底层（1）、成核层（2）、AlN层（3）、N型AlGaN层（4）、Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层（5）、复合电子阻挡层（6）、P型AlGaN层（7）和P型GaN层（8），其特征在于，所述复合电子阻挡层（6）分为两层，其与多量子阱有源层（5）接触一侧为AlN阻挡层（601），其与P型AlGaN层（7）接触一侧为高Al组分Al_zGa_1-zN阻挡层（602），y<z<1。

2.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述复合电子阻挡层（6）中AlN阻挡层（601）是厚度为1-20nm的非掺杂AlN层。

3.如权利要求1或2所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述复合电子阻挡层（6）中高Al组分Al_zGa_1-zN阻挡层（602）是厚度为5-50nm的P型AlGaN阻挡层。

4.如权利要求3所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述衬底层（1）采用蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化铝衬底或者硅衬底中的一种。

5.如权利要求4所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述成核层（2）采用厚度为5-50nm的AlN，所述AlN层（3）采用厚度为1-5μm 的非掺杂AlN。

6.如权利要求5所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述N型AlGaN层（4）是厚度为0.5-5μm的掺Si的N型AlGaN。

7.如权利要求6所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述l_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层（5）是交替生长的厚度为2-6nm的Al_xGa_1-xN势阱层(0<x<1)和厚度为5-15nm的Al_yGa_1-yN势垒层(0<y<1,x<y)，多量子阱周期数1-10。

8.如权利要求7所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述P型AlGaN层（7）采用厚度为10-200nm的P型AlGaN层。

9.如权利要求8所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述P型GaN层（8）是厚度为10-200nm的P型GaN接触层。