[实用新型]一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构

摘要

本实用新型提供了一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构，包括衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、N型电极和P型电极，还包括热扩散件、导热焊盘、绝缘膜、ITO层、增透膜、绝缘荧光层、连接桥和隔离槽，所述的衬底上面依次设有缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层和增透膜，不同的LED芯片单元通过隔离槽进行隔离，隔离槽内填充有绝缘荧光层，N型层和P型层上分别设有N型电极和P型电极，电极之间通过连接桥相连，衬底底部依次设有绝缘膜导热焊盘和热扩散件。本实用新型提供了一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构，能够改善高压LED芯片散热问题，降低反射损耗和光线的全内反射，其布局合理、结构新颖，绝缘荧光层发光效率高、填洞能力强、平整度高、绝缘性能好。

主权项

一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构，包括衬底(4)、缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、N型电极(14)和P型电极(15)，其特征在于：还包括热扩散件(1)、导热焊盘(2)、绝缘膜(3)、ITO层(9)、增透膜(10)、绝缘荧光层(11)、连接桥(12)和隔离槽(13)，所述的衬底(4)上面依次设有缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、ITO层(9)和增透膜(10)，不同的LED芯片单元通过隔离槽(13)进行隔离，隔离槽(13)内填充有绝缘荧光层(11)，N型层(6)和P型层(8)上分别设有N型电极(14)和P型电极(15)，电极之间通过连接桥(12)相连，衬底(4)底部依次设有绝缘膜(3)、导热焊盘(2)和热扩散件(1)。