[实用新型]一种准分子激光退火装置有效
| 申请号： | 201620660437.2 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN205692801U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李辉 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的准分子激光退火装置，包括激光头和反射装置，激光头产生的激光光束照射基板形成入射光束和出射光束，在出射光束方向上设置反射装置，反射装置的反射面朝向基板。通过光路反射，充分利用了准分子激光的反射能量，对低温多晶硅的基板形成二次甚至多次照射，充分利用激光束的能量，使得多晶硅的基板产出耗时降低。进一步使得晶硅的结晶速率得以调整，可以形成更合理的结晶晶粒规格。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准分子激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种准分子激光退火装置，包括激光头(01)和反射装置(02)，激光头(01)产生的激光光束照射基板形成入射光束和出射光束，在出射光束方向上设置反射装置(02)，反射装置(02)的反射面朝向基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620660437.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
