[实用新型]IGBT驱动保护电路

摘要

本实用新型涉及驱动保护电路技术领域，具体地说是一种能够有效克服IGBT误导通的IGBT驱动保护电路，其特征在于，包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、非门第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、齐纳二极管、第一快恢复二极管、第二快恢复二极管、第三快恢复二极管、电容、第一N型MOS管、第二Ｎ型MOS管、NPN晶体管以及PNP晶体管，本实用新型与现有技术相比，的IGBT驱动保护电路能够提供足够大的反向关断电压，避免IGBT在关断状态下出现误导通。另外，当IGBT发生短路时，IGBT会进入退保护状态，利用本实用新型中的第一与非门、第二与非门、第三与非门以及非门等门电路能够实现对IGBT的快速保护。

主权项

一种IGBT驱动保护电路，其特征在于，包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、非门第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、齐纳二极管、第一快恢复二极管、第二快恢复二极管、第三快恢复二极管、电容、第一N型MOS管、第二Ｎ型MOS管、NPN晶体管以及PNP晶体管，其中所述第一与非门的第一输入端用于接收PWM脉冲，第二输入端用于接收表征IGBT是否短路的电平信号，输出端分别与所述第二与非门的第二输入端和所述第三与非门的第一输入端相连接，所述第二与非门的第一输入端与正电压电连接，输出端分别与所述第一快恢复二极管的阴极和所述第一电阻的一端相连接，所述第三与非门的第一输入端与所述第一与非门的第二输入端电连接，输出端与所述非门的输入端电连接，所述非门的输出端分别与所述齐纳二极管的阴极和所述电容的一端电连接，所述齐纳二极管的阳极和所述电容的另一端均与所述第二快恢复二极管的阴极和所述第二电阻的一端电连接，所述第一N型MOS管的栅极分别与第一快恢复二极管的阳极和第一电阻的另一端相连接，源极与第三快恢复二极管的阳极相连接，漏极与正电压相连接，第二N型MOS管的栅极分别与第二电阻的另一端和第二快恢复二极管的阳极电连接，源极与一负电压电连接，漏极分别与第三快恢复二极管的阴极和第三电阻的一端电连接，第三电阻的另一端分别与NPN晶体管的基极和PNP晶体管的基极电连接，NPN晶体管的集电极与正电压电连接，PNP晶体管的集电极与负电压电连接，NPN晶体管的发射极和PNP晶体管的发射极均与第四电阻的一端电连接，第四电阻的另一端与所述IGBT的栅极电连接。