[实用新型]一种ITO结构LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n‑AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层，在p‑GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在ITO薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道，在图形化的ITO薄膜层上设有金属电极层；在GaAs衬底的下面设有n电极层。本实用新型采用预制作的切割走道宽度大于刀片厚度4‑6μm，这样避免了钻石刀片与ITO薄膜直接接触，减少对高速旋转状态的钻石切割刀片的阻力，并解决了ITO薄膜和GaP薄膜在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题，极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。

主权项

一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n‑AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层，在p‑GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面设有n电极层，其特征在于：在ITO薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道，在图形化的ITO薄膜层上设有金属电极层。