[实用新型]紫外线发光二极管及用于制造其的晶片有效
| 申请号： | 201620491310.2 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN205790043U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 许政勋 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种紫外线发光二极管及用于制造其的晶片，所述紫外线发光二极管包括：n型AlGaN接触层；p型AlGaN接触层；多量子阱结构的活性层，其介于所述n型AlGaN接触层与p型AlGaN接触层之间，包括阱层；上部超晶格层，其介于所述n型AlGaN接触层与所述活性层之间；及静电放电防止层，其介于所述n型AlGaN接触层与所述上部超晶格层之间。因此，本实用新型的紫外线发光二极管能够改善静电放电特性并且具有可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 发光二极管 用于 制造 晶片 | ||
【主权项】：
一种紫外线发光二极管，其特征在于，包括：n型AlGaN接触层；p型AlGaN接触层；多量子阱结构的活性层，其介于所述n型AlGaN接触层与p型AlGaN接触层之间，包括阱层；上部超晶格层，其介于所述n型AlGaN接触层与所述活性层之间；及静电放电防止层，其介于所述n型AlGaN接触层与所述上部超晶格层之间。
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