[实用新型]包括挥发性电阻性切换装置的高密度非挥发性内存装置

摘要

本实用新型涉及包括挥发性电阻性切换装置的高密度非挥发性内存装置，具体涉及一种内存装置包含深沟槽晶体管、挥发性选择器装置、以及电容器结构，该深沟槽晶体管至少部分在介电层或基板内形成，该晶体管具有闸极，该闸极的宽度小于约100纳米(nm)，该挥发性选择器装置包含与该闸极电性接触的第一金属接点、以及第二金属接点，而该电容器结构具有与该第二金属接点电性接触的第一终端、以及与讯号输入电性接触的第二终端。

主权项

一种高密度非挥发性内存装置，包含：晶体管，至少在介电层或基板内形成，该晶体管具有闸极，该闸极的宽度小于约100纳米；挥发性选择器装置，包含与该闸极电性接触的第一金属接点、非挥发性切换层、以及第二金属接点；以及电容器结构，具有与该第二金属接点电性接触的第一终端、以及与讯号输入电性接触的第二终端。