[实用新型]电路和封装电子器件有效
| 申请号： | 201620384802.1 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN205986805U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;刘春利;P·莫恩斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01L29/778;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电路以及封装电子器件。所述电路包括第一晶体管，第一晶体管包括源极和漏极；双向HEMT，双向HEMT包括漏极/源极和源极/漏极；第二晶体管，第二晶体管包括源极和漏极；第一二极管，第一二极管具有阳极和阴极；以及第二二极管，第二二极管具有阳极和阴极。第一晶体管的漏极耦接到双向HEMT晶体管的漏极/源极；双向HEMT晶体管的源极/漏极耦接到第三晶体管的漏极；第一二极管的阴极耦接到第一晶体管的源极；第一二极管的阳极耦接到第二二极管的阳极；并且第二二极管的阴极耦接到第三晶体管的源极。根据本公开，可以提供改进的电路和封装电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 封装 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电路，其特征在于，所述电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括漏极/源极和源极/漏极；双向HEMT，所述双向HEMT包括漏极/源极和源极/漏极；第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极/源极和源极/漏极；第一二极管，所述第一二极管具有阳极和阴极；以及第二二极管，所述第二二极管具有阳极和阴极，其中：所述第一晶体管的所述源极/漏极耦接到所述双向HEMT晶体管的所述漏极/源极；所述双向HEMT晶体管的所述源极/漏极耦接到所述第二晶体管的所述漏极/源极；所述第一二极管的所述阴极耦接到所述第一晶体管的所述漏极/源极；所述第一二极管的所述阳极耦接到所述第二二极管的所述阳极；并且所述第二二极管的所述阴极耦接到所述第二晶体管的所述源极/漏极。
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