[实用新型]一种转换效率高的多晶硅片有效
申请号: | 201620370618.1 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN205564771U | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 孙显强;李莉花;陈德超 | 申请(专利权)人: | 温州市赛拉弗能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种转换效率高的多晶硅片,所述本体包括P型多晶硅片和N型多晶硅片,所述P型多晶硅片和N型多晶硅片之间设有导通区,所述P型多晶硅片一侧设有上电极,所述P型多晶硅片的下侧设有P型发射极,所述P型多晶硅片的上侧设有减反射层,所述减反射层的上侧设有吸光层,所述N型多晶硅片下侧设有下电极,所述N型多晶硅片的下侧设有N型多晶硅膜,所述本体外表面设有本体保护膜。本实用新型增大了光的照射面积,而减反射层减少了光的反射,从而提升了光能的利用率,且防止了多晶硅片被腐蚀,增加了使用寿命,在使得太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证了太阳能电池的光电转换效率,大大提升了转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 转换 效率 多晶 硅片 | ||
【主权项】:
一种转换效率高的多晶硅片,包括本体(1),所述本体(1)包括P型多晶硅片(2)和N型多晶硅片(3),其特征在于:所述P型多晶硅片(2)和N型多晶硅片(3)之间设有导通区(4),所述P型多晶硅片(2)一侧设有上电极(6),所述P型多晶硅片(2)的下侧设有P型发射极(21),所述P型多晶硅片(2)的上侧设有减反射层(22),所述减反射层(22)的上侧设有吸光层(23),所述N型多晶硅片(3)下侧设有下电极(5),所述N型多晶硅片(3)的下侧设有N型多晶硅膜(31),所述本体(1)外表面设有本体保护膜(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州市赛拉弗能源有限公司,未经温州市赛拉弗能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620370618.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种垃圾处理设备
- 下一篇:一种背面钝化接触电池结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的