[实用新型]新型半导体温差发电芯片结构有效
| 申请号： | 201620349564.0 | 申请日： | 2016-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN205828436U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 诸建平 | 申请（专利权）人： | 浙江聚珖科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L23/367 |
| 代理公司： | 温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙)33247 | 代理人： | 程春生 |
| 地址： | 325000 浙江省温*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 新型半导体温差芯片叠加的发电结构，包括有热源、温差发电芯片、均温体，所述热源固定在第一温差发电芯片的热端或均温体表面，在所述第一温差发电芯片的冷端或均温体表面至少固定有第二温差发电芯片；本实用新型作为一个稳定高效的温差发电模组，可以根据应用环境，改变模组的形状，不受安装空间、形状的影响，可以单独或组合运用在太阳能发电、工业余热发电、空调废热发电、空气能发电，汽车废热利用，地热等多个领域，应用领域广阔，市场前景良好。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 半导体 温差 发电 芯片 结构 | ||
【主权项】：
新型半导体温差发电芯片结构，包括有热源、温差发电芯片、均温体，其特征在于，所述热源固定在第一温差发电芯片的热端或均温体表面，在所述第一温差发电芯片的冷端或均温体表面至少固定有第二温差发电芯片；或所述的温差发电芯片固定在均温体表面，形成一均温温差发电芯片层，热源固定在所述均温温差发电芯片层的均温体表面，所述均温温差发电芯片层的温差发电芯片表面，对应于均温体，固定有一个及以上的均温温差发电芯片层；或热源固定在所述均温温差发电芯片层的温差发电芯片，所述均温温差发电芯片层的均温体表面，对应于温差发电芯片，固定有一个及以上的均温温差发电芯片层；在最外侧的温差发电芯片表面或均温体表面，固定有散热装置。
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