[实用新型]一种正装LED发光二极管有效
| 申请号： | 201620343301.9 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN205645852U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡立鹤;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;吴奇隆;周弘毅;邬新根;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种正装LED发光二极管，涉及LED发光二极管的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。本实用新型保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，能够减少N‑GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种正装LED发光二极管，在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。
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