[实用新型]蚀刻设备及其校平装置有效
申请号: | 201620296630.2 | 申请日: | 2016-04-11 |
公开(公告)号: | CN205723459U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 苏骞;刘全胜;金永哲;乌磊;孟敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥美特科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 张约宗;张曾明 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种蚀刻设备及其校平装置,包括支架以及平行间隔地安装于支架中的若干个下辊组件和若干个上辊组件,该若干个上辊组件布置于该若干下辊组件的上方,并与该若干下辊组件交错排布,在该若干个下辊组件和若干个上辊组件之间形成供料带穿过的校平空间。本实用新型的有益效果:通过交错设置若干上辊单元和下辊单元,能够很好地对料带进行校平,从而确保后续的蚀刻能够顺利进行。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 设备 及其 平装 | ||
【主权项】:
一种蚀刻设备用校平装置,其特征在于,包括支架以及平行间隔地安装于支架中的若干个下辊组件和若干个上辊组件,该若干个上辊组件布置于该若干下辊组件的上方,并与该若干下辊组件交错排布,在该若干个下辊组件和若干个上辊组件之间形成供料带穿过的校平空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造