[实用新型]一种红斑响应探测器有效

专利信息
申请号: 201620232775.6 申请日: 2016-03-22
公开(公告)号: CN205564748U 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 王俊;郭进;吴浩然;宋曼;易媛媛;谢峰;王国胜 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所;合肥公共安全技术研究院
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/105
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 张景云
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开一种红斑响应探测器,一种用于太阳紫外线指数监测的芯片,属于半导体器件技术领域。该芯片横向集成了两个不同结构的探测单元,其一为传统PIN紫外光电二极管,其二为新结构的窄带通PIN紫外光电二极管,两光电二极管具有相同的感光面积。本实用新型探测器材料的结构为依次外延衬底层、缓冲层、N型层、I型吸收层、P型层、势垒层,短波滤波层,并利用标准半导体微加工工艺实现两不同结构探测器的单片集成。本实用新型的优点在于巧妙地采用双二极管集成芯片获得精确的红斑响应探测器,可以避免采用昂贵复杂的滤波装置以及滤波装置对器件响应率的影响,同时避免采用高铝组分作为吸收层所面临的材料生长困难和高暗电流问题。
搜索关键词: 一种 红斑 响应 探测器
【主权项】:
一种红斑响应探测器,包括衬底(1);其特征在于:在所述衬底(1)上横向集成有第一探测单元(100)和第二探测单元(200);所述第一探测单元(100)和第二探测单元(200)自所述衬底(1)向上分别依次包括下列外延层:一缓冲层(2);所述缓冲层(2)外延在所述衬底(1)上;一N型层(3);所述N型层(3)制作在所述缓冲层(2)上;一I型吸收层(4);所述吸收层(4)制作在所述N型层(3)之上;一P型层(5);所述P型层制作在所述I型吸收层(4)上;在所述第一探测单元(100)的P型层(5)上还制作有一势垒层(6);在所述势垒层(6)上还制作有一短波滤波层(7)。
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