[实用新型]一种湿法刻蚀装置有效
| 申请号： | 201620218930.9 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN205428880U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 周军;党继东;刘东续 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;林波 |
| 地址： | 224431 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种湿法刻蚀装置，包括蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽中的蚀刻液、设置于所述蚀刻液的上部的引导轮，所述引导轮包括用于输送待刻蚀的硅片并在该硅片行走于其上时将所述蚀刻液引流至硅片背面的多个螺纹滚轮及一个以上的凸环滚轮，所述螺纹滚轮设置于所述蚀刻槽的前段，所述凸环滚轮设置于所述蚀刻槽的后段，所述螺纹滚轮与所述凸环滚轮并排间隔均匀排布，且所述凸环滚轮的外周沿轴线方向设置有多个间隔设置的凸环，相邻两个所述凸环之间的距离大于所述螺纹滚轮的螺纹的螺距；其可避免因腐蚀反应生成的气泡难以释放并聚集成大气泡时在蚀刻槽的尾端炸裂，因而极大地减少因蚀刻过宽而造成的返工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀装置，包括蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽中的蚀刻液、设置于所述蚀刻液的上部的引导轮，其特征在于，所述引导轮包括用于输送待刻蚀的硅片并在该硅片行走于其上时将所述蚀刻液引流至硅片背面的多个螺纹滚轮(1)及一个以上的凸环滚轮(2)，所述螺纹滚轮(1)设置于所述蚀刻槽的前段，所述凸环滚轮(2)设置于所述蚀刻槽的后段，所述螺纹滚轮(1)与所述凸环滚轮(2)并排间隔均匀排布，且所述凸环滚轮(2)的外周沿轴线方向设置有多个间隔设置的凸环(3)，相邻两个所述凸环(3)之间的距离大于所述螺纹滚轮(1)的螺纹的螺距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，未经盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620218930.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
