[实用新型]一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路

摘要

本实用新型涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路，包括忆阻器阻值控制模块、忆阻器、系统电路；所述忆阻器阻值控制模块包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，所述第一NMOS管M1的栅极与所述第一NMOS管M1的漏极、所述第二NMOS管M2的栅极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口，所述第三NMOS管M3的栅极与所述第四NMOS管M4的栅极、所述第四NMOS管M4的漏极相连，所述第一NMOS管M1的源极与所述第三NMOS管M3的漏极相连，所述第二NMOS管M2的漏极与所述第四NMOS管M4的源极相连。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果。

主权项

一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路，其特征在于：包括忆阻器阻值控制模块、忆阻器、系统电路；所述忆阻器阻值控制模块包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，所述第一NMOS管M1的栅极与所述第一NMOS管M1的漏极、所述第二NMOS管M2的栅极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口，所述第三NMOS管M3的栅极与所述第四NMOS管M4的栅极、所述第四NMOS管M4的漏极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的第二编程输入端口，所述第一NMOS管M1的源极与所述第三NMOS管M3的漏极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的加阻值输出端口，所述第二NMOS管M2的漏极与所述第四NMOS管M4的源极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的减阻值输出端口，所述第二NMOS管M2的源极与所述第三NMOS管M3的源极均接地；所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口与第二编程输入端口用以接入编程电压，所述忆阻器阻值控制模块的加阻值输出端口与减阻值输出端口分别与所述忆阻器的两端相连，所述忆阻器的两端分别连接至所述系统电路的两个输入端口。