[发明专利]一种沟槽肖特基半导体装置在审
| 申请号： | 201611269439.X | 申请日： | 2016-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN108269848A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基半导体装置，在沟槽之间半导体材料内引入PN结或相对轻掺杂区，将表面电势引入到漂移层中，加快漂移层耗尽，降低导通电阻和沟槽底部绝缘层附近电场；本发明的沟槽肖特基半导体装置将沟槽设置有终端结构，使得器件的整体反向阻断能力接近或者达到半导体装置内元胞反向阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 肖特基 反向阻断 漂移层 半导体材料 底部绝缘层 表面电势 导通电阻 轻掺杂区 终端结构 电场 引入 元胞 耗尽 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电半导体材料构成，为高浓度杂质掺杂；第一漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；第二漂移层，为第二导电半导体材料构成，位于第一漂移层之上；多个沟槽，位于第二漂移层表面，沟槽底部位于第一漂移层或者第二漂移层中，沟槽内壁设置绝缘材料层，沟槽内设置导电材料，为多晶硅、无定形硅或金属；沟槽侧壁第一导电半导体材料，临靠沟槽侧壁和漂移层上表面，底部临靠第一漂移层，沟槽侧壁第一导电半导体材料之间为第二漂移层半导体材料；肖特基势垒结，位于沟槽侧壁第一导电半导体材料上表面；第二漂移层上表面接触为肖特基势垒结或欧姆接触；电极金属，位于半导体装置上下表面，上表面电极金属连接沟槽内导电材料、肖特基势垒结和第二漂移层上表面。
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