[发明专利]集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611267833.X | 申请日： | 2016-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106784018B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王培林;井亚会;戚丽娜;张景超;刘利峰;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 常州金之坛知识产权代理事务所(普通合伙) 32317 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法，第一多晶硅层上部连接有第二氧化层，第二氧化层具有向下隔离出二极管区域的隔离部分，第二氧化层上部依次连接有第二多晶硅层和绝缘介质层，绝缘介质层的环形隔离部分将第二多晶硅层形成不相连接的二极管第二掺杂区和位于二极管第二掺杂区外围的隔离保护环，且隔离保护环不闭合，第二多晶硅层向下延伸与二极管第二掺杂区连接形成纵向的PN结，二极管的第一电极与第一多晶硅层连接、第二电极与二极管第二掺杂区连接，保护电极隔离保护环连接，保护电极与第二电极连接形成等电位。本发明能够实时探测晶体管芯片温度，能减少外界电流、电压及电场变化能对温度传感二极管影响。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 晶体管 温度 传感 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成在晶体管上的温度传感二极管结构，其特征在于：硅片(1)有源区内依次连接有第一氧化层(6)和其上部的第一多晶硅层(8)，所述的第一多晶硅层(8)为晶体管的多晶硅栅(8‑2)，所述第一多晶硅层(8)上部连接有第二氧化层(9)，第二氧化层(9)具有向下穿过第一多晶硅层(8)和第一氧化层(6)并与晶体管的第一掺杂区(3)和第二掺杂区(2)连接用以隔离出二极管区域的隔离部分(9‑1)，隔离部分(9‑1)内的第一氧化层(6)构成二极管的隔离垫(6‑1),隔离部分(9‑1)内的第一多晶硅层(8)形成二极管第一掺杂区(8‑1)，第二氧化层(9)上部连接有二极管区域处的第二多晶硅层(17)及顶部的绝缘介质层(15)，绝缘介质层(15)具有向下穿过第二多晶硅层(17)与第二氧化层(9)连接的环形隔离部分(15‑1)，环形隔离部分(15‑1)将第二多晶硅层(17)形成不相连接的二极管第二掺杂区(17‑2)和位于二极管第二掺杂区(17‑2)外围的隔离保护环(17‑1)，且隔离保护环(17‑1)不闭合，第二多晶硅层(17)向下延伸的连接部分(17‑3)穿过第二氧化层(9)与第一多晶硅层(8)上的二极管第一掺杂区(8‑1)连接形成纵向的PN结，二极管的第一电极(14)穿过绝缘介质层(15)和第二氧化层(9)与第一多晶硅层(8)连接、第二电极(16)穿过绝缘介质层(15)与第二多晶硅层(17)上的二极管第二掺杂区(17‑2)连接，保护电极(13)穿过绝缘介质层(15)与第二多晶硅层(17)上的隔离保护环(17‑1)连接，且保护电极(13)与第二电极(16)连接形成等电位。
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