[发明专利]具有量子阱能级结构的合金材料、制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201611259516.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269892B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;刘政;钱磊;程陆玲 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;H01L33/26 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开具有量子阱能级结构的合金材料、制备方法及QLED，所述合金材料包含N个在径向方向上依次排布的结构单元，其中N≥1；所述结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；相邻的结构单元的能级宽度是不连续的。本发明提供了一种具有从内到外沿径向方向的突变合金组分的新型合金材料，其不仅实现了更高效的发光效率，同时也更能满足QLED器件及相应显示技术对合金材料的综合性能要求，是一种适合QLED器件及显示技术的理想合金材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 量子 能级 结构 合金材料 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有量子阱能级结构的合金材料，其特征在于，所述合金材料包含N个在径向方向上依次排布的结构单元，其中N≥1；所述结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；相邻的结构单元的能级是不连续的。
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