[发明专利]一种纳米复合材料、制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201611259353.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269891B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;刘政;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;H01L33/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米复合材料、制备方法及半导体器件，方法包括步骤：在径向方向上预定位置处加入一种或一种以上阳离子前驱体；在一定条件下同时加入一种或一种以上的阴离子前驱体，使阳离子前驱体与阴离子前驱体进行反应形成纳米复合材料，并且所述纳米复合材料的发光峰波长在反应过程中出现蓝移、红移和不变中的一种或几种，从而实现在预定位置处的合金组分分布。通过上述制备方法所制备的纳米复合材料，不仅实现了更高效的纳米复合材料发光效率，同时也更能满足半导体器件及相应显示技术对纳米复合材料的综合性能要求，是一种适合半导体器件及显示技术的理想量子点发光材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合材料 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：在径向方向上预定位置处加入一种或一种以上阳离子前驱体；在一定条件下同时加入一种或一种以上的阴离子前驱体，使阳离子前驱体与阴离子前驱体进行反应形成纳米复合材料，并且所述纳米复合材料的发光峰波长在反应过程中出现蓝移、红移和不变中的一种或几种，从而实现在预定位置处的合金组分分布。
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