[发明专利]一种具有原子氧防护功能的表面薄膜的设计及制备方法有效
申请号: | 201611234122.2 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106684159B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 孙希鹏;杜永超;肖志斌;李晓东 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种具有原子氧防护功能的表面薄膜的设计及制备方法,表面薄膜的设计采用组合膜层,其结构如下:AIR∣HSiO2LSiO2∣GLASS,AIR为入射介质,HSiO2为折射率1.45±0.01的SiO2膜层,厚度为20±1nm,LSiO2为折射率1.28±0.02的SiO2膜层,厚度为95±5nm,GLASS为掺有二氧化铈的玻璃盖片,采用电子束热蒸发的方式将2层薄膜逐层沉积到玻璃盖片上。本发明的有益效果是采用这种方法制备的表面薄膜的主要材质为SiO2,不会因被高活性的原子氧氧化而变性,提升了表面薄膜的化学稳定性。同时,该薄膜是专为空间用抗辐照玻璃盖片而设计的,材料折射率与玻璃盖片形成良好的匹配,镀膜后盖片的透射率较高,有利于提高太阳电池组件的工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 原子 防护 功能 表面 薄膜 设计 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备具有原子氧防护功能的表面薄膜的方法,其特征在于:所述表面薄膜适用于空间用抗辐照玻璃盖片,包括两层薄膜HSiO2和LSiO2,其结构如下:AIR∣HSiO2LSiO2∣GLASS,所述AIR为入射介质,所述的HSiO2为折射率1.45±0.01的SiO2膜层,厚度为20±1nm,所述LSiO2为折射率1.28±0.02的SiO2膜层,厚度为95±5nm,所述GLASS为掺有二氧化铈的玻璃盖片,所述入射介质为真空,工作环境为太空环境;所述表面薄膜的制备方法,采用电子束热蒸发的方式将所述两层薄膜逐层沉积到所述玻璃盖片上,包括如下步骤:(1)所述玻璃盖片进行清洗预处理;(2)在所述玻璃盖片上沉积第一层LSiO2薄膜,采用倾斜沉积方式,蒸发源沉积方向与所述玻璃盖片间的夹角为15°±2°,所述沉积第一层LSiO2薄膜厚度为95±5nm,折射率为1.28±0.02,真空室内无烘烤加热;(3)应用光谱椭偏仪对所述沉积第一层LSiO2薄膜在参考波长下的物理厚度和折射率进行测量;(4)在所述第一层LSiO2薄膜上沉积第二层HSiO2薄膜,采用正常沉积工艺方法,蒸发源方向与所述玻璃盖片间的夹角为75°±2°,所述第二层HSiO2薄膜的厚度为20±1nm,折射率为1.45±0.01,真空室内烘烤加热至150℃,沉积过程中使用离子源进行辅助沉积;(5)应用光谱椭偏仪对所述沉积第二层HSiO2薄膜在参考波长下的物理厚度和下折射率进行测量;(6)镀膜完成后,应用分光光度计测量玻璃盖片在280nm~1800nm范围内的透射率曲线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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