[发明专利]一种利用MOSFET管内阻实现输出电流检测的方法

摘要

本发明公开了一种利用MOSFET管内阻实现输出电流检测的方法，利用MOSFET管的内阻作为输出电流检测功能，通过实际模拟相应环境实验，随机获取批量MOSEFET实验数据；将采集到的实验数据，通过单片机智能算法，结合外围电路设计，自动检测相应环境的变化进行智能动态补尝；从而确保电流检测值的精度能满足产品规格要求。

主权项

1.一种利用MOSFET管内阻实现输出电流检测的方法，其特征在于：包括内置于移动电源的电路连接结构，该电路连接结构包括MCU处理器、电池、升压IC、NTC热敏电阻、MOSFET管和输出接口，所述电池分别与所述MCU处理器、升压IC电性连接，所述MCU处理器分别与所述升压IC、NTC热敏电阻和MOSFET管电性连接，所述输出接口与所述升压IC、MOSFET管电性连接；以及基于该电路连接结构的输出电流检测方案,包括以下步骤：（A1）在移动电源向外输出电流供电始时，电池端提供电源给MCU处理器，MCU处理器同时提供一个驱动电压给升压IC以及使MOSFET管处于导通输出状态；（A2）MCU处理器内置关于MOSFET管内阻的浮动变化数据，包括数据一和数据二，所述数据一为MOSFET管内阻在特定温度及不同带载电流的条件下与电池电压的浮动变化数据；所述数据二为MOSFET管内阻在不同环境温度下与电池电压的浮动变化数据；（A3）在输出的过程中，MCU处理器获取电路连接结构中MOSFET管驱动电压的实际电压值以及实际温度值，通过读取所述实际温度值对应所述浮动变化数据中的MOSFET管内阻，根据输出电流=实际电压值/MOSFET管内阻的公式进行计算，从而获得实际通过MOSFET管的输出电流值；所述实际温度值为所述NTC热敏电阻在PCBA板上反馈给所述MCU处理器所获取。