[发明专利]一种光刻胶清洗液在审
申请号: | 201611231304.4 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN108255027A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 孙广胜;刘兵;徐海玉 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人: | 李佳铭;沈汶波 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种光刻胶清洗液,其按质量百分比浓度包括以下组分:i.季胺氢氧化物0.1‑6%;ii.醇胺0.1‑10%;iii.多元醇0.2~50%;iv.酚类化合物0.1~5%;v.余量是有机溶剂。本发明的清洗液中不含硅烷,其在有效去除晶圆上的光阻残留物的同时,对于基材如金属铜、铝、钛、钨、金等基本无腐蚀,对氧化铜有去除能力,在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 清洗液 光刻胶 去除 半导体晶片清洗 季胺氢氧化物 酚类化合物 光阻残留物 质量百分比 有机溶剂 多元醇 金属铜 无腐蚀 氧化铜 醇胺 硅烷 基材 晶圆 应用 | ||
【主权项】:
1.一种光刻胶清洗液,其特征在于,所述光刻胶清洗液按质量百分比浓度包括以下组分:i.季胺氢氧化物0.1‑6%;ii.醇胺0.1‑10%;iii.多元醇0.2~50%;iv.酚类化合物0.1~5%;v.余量是有机溶剂。
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