[发明专利]磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法有效

专利信息
申请号: 201611227646.9 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106757360B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 赵有文;段满龙 申请(专利权)人: 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B28/06
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊;许向彤
地址: 519085 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法,所述磷化铟多晶水平合成装置包括:合成炉,所述合成炉内部设置合成炉加热体,所述合成炉加热体由多段加热区构成的;石英管,位于合成炉加热体内部,其特征在于:所述磷化铟多晶水平合成装置还包括充放气控制系统,用于控制合成炉体内压力,以及温度控制系统,用于控制合成炉炉体内温度。本发明通过控制温度进而控制石英管内部压力,通过充放气控制系统控制石英管外部压力,有效的控制反应过程中石英管内外的压力平衡,避免合成过程中出现的由于石英管内外压力不平衡“炸管”产生,提高磷化铟多晶合成的效率和成品率。
搜索关键词: 磷化 多晶 水平 合成 装置 压力 平衡 控制 方法
【主权项】:
暂无信息
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