[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法提供如下。外延层被形成在衬底的有源鳍结构上。第一金属栅电极被形成在有源鳍结构上。每个第一金属栅电极和每个外延层在有源鳍结构上在第一方向上被交替布置。层间电介质(ILD)图案被形成在外延层上，在交叉第一方向的第二方向上延伸。牺牲间隔物图案被形成在第一金属栅电极上。多个牺牲间隔物图案的每个覆盖第一金属栅电极中的相应第一金属栅电极。自对准接触孔和牺牲间隔物通过去除ILD图案被形成。每个自对准接触孔暴露布置在每个ILD图案下方的相应外延层。源/漏电极被形成在自对准接触孔中。牺牲间隔物由空气间隔物替换。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源鳍结构和隔离区域；在所述有源鳍结构上形成多个外延层；在所述有源鳍结构上形成多个第一金属栅电极，其中所述第一金属栅电极的每个和所述外延层的每个在所述有源鳍结构上在第一方向上被交替设置；在所述多个外延层上形成多个层间电介质图案，其中所述多个层间电介质图案的每个在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；在所述多个第一金属栅电极上形成多个牺牲间隔物图案，其中所述多个牺牲间隔物图案的每个覆盖所述多个第一金属栅电极中的相应第一金属栅电极；通过去除所述多个层间电介质图案而形成多个自对准接触孔和多个牺牲间隔物，其中所述多个自对准接触孔的每个暴露设置在所述多个层间电介质图案的每个下方的相应外延层；在所述多个自对准接触孔中形成多个源/漏电极；由多个空气间隔物替换所述多个牺牲间隔物。