[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611222541.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107293640B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄伟杰;陈界璋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在第一材料层中形成具有锥形轮廓的开口。开口的上部宽度大于开口的底部宽度。该方法还包括在开口中形成第二材料层并且形成硬掩模以覆盖部分第二材料层。硬掩模与开口对准并且具有小于开口的上部宽度的宽度。该方法还包括通过使用硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻第二材料层以形成具有锥形轮廓的部件的上部。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在第一材料层中形成具有锥形轮廓的开口，其中，所述开口的上部宽度大于所述开口的底部宽度；在所述开口中形成第二材料层；形成硬掩模以覆盖部分所述第二材料层，其中，所述硬掩模与所述开口对准，其中，所述硬掩模的宽度小于所述开口的上部宽度；以及通过使用所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述第二材料层以形成具有锥形轮廓的部件的上部。
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