[发明专利]一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法

摘要

本发明公开了一种在碳基材料表面制备MoSi₂涂层的方法。本发明将盐浴工艺与包埋渗硅工艺进行了有机结合，具有工艺操作简单、成本低的优点，并且特别适用于不规则形状的碳基材料部件，有利于规模化生产；不同于现有的以MoSi₂粉末为包埋原料，通过高温烧结直接制备的涂层，本发明以盐浴法制备Mo₂C过渡涂层，Mo₂C深入钉扎到碳基材料内部，显著提高了涂层与基体的结合力；不同于现有的涂层硅化方法，本发明选择NiF₂和/或FeF₃作为活化剂，可有效降低涂层的制备温度（<1000℃，最低可达850℃），制备的涂层致密，没有裂纹缺陷。

主权项

1.一种在碳基材料表面制备MoSi₂涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、将MoO₃粉与氟盐均匀混合，得到MoO₃的质量占比为10%~30%的混合料粉；所述氟盐由至少一种金属氟化物构成；步骤B、将待处理的碳基材料包埋于所述混合料粉中，并在真空或惰性气氛保护条件下，于800~900℃保温2~12小时，之后去除碳基材料表面的氟盐，得到表面具有Mo₂C涂层的碳基材料；步骤C、将所述表面具有Mo₂C涂层的碳基材料包埋在由Si粉、SiC粉与活化剂混合而成的包埋粉料中，在真空或惰性气氛保护条件下，在850~950℃保温2~6小时后自然冷却至室温；所述包埋粉料中Si粉的质量百分含量为10~20%，活化剂的质量百分含量为5~10%，SiC的含量为余量，所述活化剂为NiF₂和/或FeF₃。