[发明专利]一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置在审
| 申请号： | 201611203602.2 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108070903A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;孙禄钊;张金灿;林立;彭海琳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD反应腔外；所述金属极板通过所述导电线路与所述插头和电源相连。利用该装置可对导电衬底加正负静电荷或电流，对绝缘衬底进行极化从而在其表面可控地产生静电荷，从而达到调控任意生长衬底的电势、吸附性、电子能态和催化活性。利用该装置及生长方法，可以在薄膜材料制备过程中方便地控制其单晶大小、均匀度、掺杂浓度、层数、层间堆垛方式及扭转角度、手性、洁净度等。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 薄膜材料 金属极板 插头 生长 电源 导电线路 通电系统 反应腔 静电荷 加电 调控 化学气相沉积 催化活性 电子能态 堆垛方式 反应装置 制备过程 洁净度 均匀度 吸附性 极化 层间 单晶 导电 电势 可控 手性 绝缘 掺杂 扭转 | ||
【主权项】：
1.一种改进的化学气相沉积反应装置，其特征在于：在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD反应腔外。
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