[发明专利]一种横向生长非晶硅纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201611202131.3 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106744673B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李红姬;沈浩德;李华通;李明吉;李翠平;杨保和 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00;H01G11/86;C23C16/24;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种横向生长非晶硅纳米线的制备方法，包括如下步骤；1)把衬底用氢氧化钠溶液在刻蚀，然后依次用超纯水、乙醇、丙酮、超纯水分别超声清洗；2)以衬底作为基底，采用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积镍膜，作为硅纳米线生长所需要的催化剂；3)将上述沉积有镍膜的硅片放入带凹槽的样品靶台上，采用直流喷射CVD法制备横向生长非晶硅纳米线；所制备的横向生长非晶硅纳米线的应用，用于超级电容器电极。本发明的优点是：该制备方法工艺简单、过程清洁并且生产成本低，适宜于规模化生产；能够得到不同厚度、不同纳米结构、不同取向分布的硅纳米线，无论是应用于新能源方向还是纳米电子器件方向都具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 横向生长 非晶硅 纳米线 制备 硅纳米线 超纯水 衬底 镍膜 沉积 应用 超级电容器电极 射频磁控溅射法 纳米电子器件 氢氧化钠溶液 制备方法工艺 规模化生产 生产成本低 采用直流 超声清洗 纳米结构 硅衬底 硅片 乙醇 丙酮 放入 基底 刻蚀 取向 催化剂 新能源 喷射 清洁 生长 | ||
【主权项】：
1.一种横向生长非晶硅纳米线的制备方法，其特征在于包括如下步骤；1)把衬底用浓度为0.1‑0.3mol/L的氢氧化钠溶液在100‑300℃刻蚀，然后将衬底依次用超纯水、乙醇、丙酮、超纯水分别超声清洗15min；2)将上述经过刻蚀的衬底作为基底，采用射频磁控溅射法在衬底上沉积镍膜，作为硅纳米线生长所需要的催化剂；3)将上述沉积有镍膜的衬底放入带凹槽的样品靶台上，采用直流喷射CVD法制备横向生长非晶硅纳米线。
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