[发明专利]一种STT-MRAM存储单元

摘要

本发明公开一种STT‑MRAM存储单元，包括晶体管和MTJ单元；晶体管建立在基底上，晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触；MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极；金属线与内电极连接；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极均与基底所在平面不平行；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极与金属线间隔设置。本发明中MTJ单元的设置形式将热稳定系数Δ随原本的平面结构尺寸的平方变化关系减弱为线性变化，可以用高度补偿，有利于MTJ小型化。本发明可有效的利用空间，保证良好的热稳定性，提高存储密度，提供多种存储模式，对20nm技术节点以下的存储器具有应用前景。

主权项

一种STT‑MRAM存储单元，其特征在于，包括晶体管(101)和MTJ单元(200)；晶体管(101)建立在基底(100)上，晶体管(101)的漏极(103b)与MTJ单元(200)通过金属线(106)达到漏接触；MTJ单元(200)包括内电极(204)和包裹在内电极(204)外周的种子层(212)、铁磁性钉扎层(203)、非磁性势垒层(202)、铁磁性自由层(201)和外电极(205)；金属线(106)与内电极(204)连接；种子层(212)、铁磁性钉扎层(203)、非磁性势垒层(202)、铁磁性自由层(201)和外电极(205)均与基底(100)所在平面不平行；种子层(212)、铁磁性钉扎层(203)、非磁性势垒层(202)、铁磁性自由层(201)和外电极(205)与金属线(106)间隔设置。