[发明专利]离子注入装置有效
| 申请号： | 201611199372.7 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106910666B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 久我正一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本申请说明书中公开的技术涉及一种离子注入装置，该离子注入装置能够以容易的方法抑制半导体衬底的由放电导致的损坏。本技术涉及的离子注入装置具有：离子照射部(8)，其向半导体衬底(1)的表面照射离子；以及至少一个电极部(针电极(5)、针电极(6)、环状的电极(7)、环状的电极(7a))，其在半导体衬底(1)的端部的背面及侧面中的至少一者的附近处的能够与半导体衬底(1)之间放电的位置，与半导体衬底(1)分离地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入装置，其具有：离子照射部，其向半导体衬底的表面照射离子；以及至少一个电极部，其在所述半导体衬底的端部的背面及侧面中的至少一者的附近处的能够与所述半导体衬底之间放电的位置，与所述半导体衬底分离地配置，所述至少一个电极部的前端形成为以针状变尖。
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