[发明专利]离子注入装置有效
| 申请号： | 201611199372.7 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106910666B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 久我正一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子注入装置，其具有：
离子照射部，其向半导体衬底的表面照射离子；以及
至少一个电极部，其在所述半导体衬底的端部的背面及侧面中的至少一者的附近处的能够与所述半导体衬底之间放电的位置，与所述半导体衬底分离地配置，所述至少一个电极部的前端形成为以针状变尖。
2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其中，
所述电极部的前端与所述半导体衬底之间的距离小于或等于4.4mm。
3.根据权利要求1所述的离子注入装置，其中，
在与将所述电极部和所述半导体衬底连接的方向相交叉的方向排列多个所述电极部。
4.根据权利要求2所述的离子注入装置，其中，
在与将所述电极部和所述半导体衬底连接的方向相交叉的方向排列多个所述电极部。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其中，
所述电极部是在俯视观察时将所述半导体衬底的至少一部分包围而配置的。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其中，
所述电极部的朝向所述半导体衬底的端部尖锐地形成。
7.根据权利要求5所述的离子注入装置，其中，
所述电极部的朝向所述半导体衬底的端部尖锐地形成。
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