[发明专利]一种SOI下衬底接触引出的方法有效
| 申请号： | 201611196503.6 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106783729B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;董业民;陆梅君;田意 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI下衬底接触引出的方法，包括：步骤1），定义衬底的接触引出区域，采用引出孔的刻蚀工艺，从SOI的上表面打开SOI下衬底的接触引出区域；步骤2），对接触引出区域进行金属填充，并通过金属互联工艺实现SOI下衬底的电学引出；其中，SOI下衬底引出区域与SOI上的元器件的接触引出使用同一光刻制版，SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺及金属填充工艺分别与元器件接触孔的刻蚀工艺及金属填充工艺采用同一工艺步骤。本发明的方法一方面与现有的常规工艺兼容，另一方面不需要额外的掩膜版，从而无需增加额外成本，实现了SOI下衬底的电学引出。本发明工艺步骤简单，且有利于成本的降低，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 衬底 接触 引出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：步骤1)，定义衬底的接触引出区域，采用引出孔的刻蚀工艺，从SOI的上表面打开SOI下衬底的接触引出区域；步骤2)，对接触引出区域进行金属填充，并通过金属互联工艺实现SOI下衬底的电学引出；其中，SOI下衬底引出区域与SOI上的元器件的接触引出使用同一光刻制版，SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺及金属填充工艺分别与元器件接触孔的刻蚀工艺及金属填充工艺采用同一工艺步骤，通过控制刻蚀工艺的刻蚀选择比，使刻蚀工艺分别停止于元器件的接触引出表面以及SOI下衬底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
