[发明专利]一种SOI下衬底接触引出的方法

权利要求书

1.一种SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

步骤1)，定义衬底的接触引出区域，采用引出孔的刻蚀工艺，从SOI的上表面打开SOI下衬底的接触引出区域；

步骤2)，对接触引出区域进行金属填充，并通过金属互联工艺实现SOI下衬底的电学引出；

其中，SOI下衬底引出区域与SOI上的元器件的接触引出使用同一光刻制版，SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺及金属填充工艺分别与元器件接触孔的刻蚀工艺及金属填充工艺采用同一工艺步骤，通过控制刻蚀工艺的刻蚀选择比，使刻蚀工艺分别停止于元器件的接触引出表面以及SOI下衬底表面。

2.根据权利要求1所述的SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于：所述SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺与元器件接触孔的刻蚀工艺为采用同一工艺且同时进行，所述SOI下衬底接触引出区域的金属填充工艺与元器件接触孔的金属填充工艺为采用同一工艺且同时进行。

3.根据权利要求1所述的SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于：所述元器件的接触引出包括MOS管的源区接触引出、漏区接触引出、衬底区接触引出以及栅极接触引出，二极管的阳区接触引出及阴区接触引出，三极管的集电区接触引出、发射区接触引出及基区接触引出，有源区及栅电阻接触引出，MOS电容的上下极板接触引出，光学器件的接触引出，MEMS器件的接触引出的一种或两种以上组合。

4.根据权利要求1所述的SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于：步骤1)包括：

步骤1-1)，于SOI上制作出元器件，所述元器件包括元器件的接触引出；

步骤1-2)，于所述SOI上表面覆盖介质层；

步骤1-3)，使用同一光刻制版，对SOI下衬底引出区域采用与SOI上的元器件的接触引出同时进行刻蚀，通过控制刻蚀工艺的刻蚀选择比，使刻蚀工艺分别停止于元器件的接触引出表面以及SOI下衬底表面。

5.根据权利要求1所述的SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于：步骤2)包括：

步骤2-1)，采用金属填充工艺同时对所述SOI下衬底接触引出区域及所述元器件接触孔进行金属填充；

步骤2-2)，通过金属互联工艺实现SOI下衬底接触引出区域及所述元器件接触孔的电学引出。

6.根据权利要求1所述的SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于：步骤1)中，所述刻蚀工艺包括ICP刻蚀工艺及RIE刻蚀工艺中的一种。

7.根据权利要求1所述的SOI下衬底接触引出的方法，其特征在于：步骤2)中，金属填充所采用的金属材料包括铜、铝、银、金、铂金、钛、钨中的一种或两种以上的组合或者其合金。