[发明专利]一种SOI下衬底接触引出的方法

说明书

本发明提供一种SOI下衬底接触引出的方法，包括：步骤1），定义衬底的接触引出区域，采用引出孔的刻蚀工艺，从SOI的上表面打开SOI下衬底的接触引出区域；步骤2），对接触引出区域进行金属填充，并通过金属互联工艺实现SOI下衬底的电学引出；其中，SOI下衬底引出区域与SOI上的元器件的接触引出使用同一光刻制版，SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺及金属填充工艺分别与元器件接触孔的刻蚀工艺及金属填充工艺采用同一工艺步骤。本发明的方法一方面与现有的常规工艺兼容，另一方面不需要额外的掩膜版，从而无需增加额外成本，实现了SOI下衬底的电学引出。本发明工艺步骤简单，且有利于成本的降低，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种SOI下衬底接触引出的方法。

背景技术

SOI晶圆衬底区与表面的器件区通过埋氧层天然电学隔离。不过很多应用中需要将衬底区电学引出，来控制电位或者消除芯片制备出现的天线效应(antenna effect)。

现有技术的常规做法是采用附加刻蚀工艺，在衬底区刻蚀专用引线孔，之后在填充金属材料，实现电学引出。现有的一种SOI晶圆衬底区的电学引出包括如下步骤：

第一步，在SOI晶圆上制作元器件，所述元器件具有一个或两个以上需要进行电学引出的区域；

第二步，在所述SOI晶圆表面形成介质层；

第三步，采用元器件的接触引出光刻制版，刻蚀出元器件的接触引出区域；

第四步，采用SOI晶圆下衬底的接触引出光刻制版，刻蚀出SOI晶圆下衬底的接触引出区域；

第五步，对所述元器件的接触引出区域进行金属填充；

第六步，对所述SOI晶圆下衬底的接触引出区域进行金属填充；

第七步，采用金属互联工艺实现SOI晶圆下衬底的接触引出以及所述元器件的接触引出的电学引出。

可见，传统的SOI晶圆衬底区的电学引出方法需要在常规工艺的基础上，采用额外的工艺，同时为了定义需要引线的区域而需要额外的制备掩膜版，其不足之处在于，引入额外工艺后带来的兼容性问题，以及额外的工艺和额外的掩膜版带来的成本增加的问题。

基于以上所述，提供一种与现有的常规工艺兼容，不需要额外的掩膜版，无需增加额外成本，可以实现SOI下衬底的电学引出的方法实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种SOI下衬底接触引出的方法SOI下衬底接触引出的方法，用于解决现有技术中SOI下衬底引入额外工艺后带来的兼容性问题，以及额外的工艺和额外的掩膜版带来的成本增加的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种SOI下衬底接触引出的方法，所述方法包括步骤：步骤1)，定义衬底的接触引出区域，采用引出孔的刻蚀工艺，从SOI的上表面打开SOI下衬底的接触引出区域；步骤2)，对接触引出区域进行金属填充，并通过金属互联工艺实现SOI下衬底的电学引出；其中，SOI下衬底引出区域与SOI上的元器件的接触引出使用同一光刻制版，SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺及金属填充工艺分别与元器件接触孔的刻蚀工艺及金属填充工艺采用同一工艺步骤。

作为本发明的SOI下衬底接触引出的方法的一种优选方案，所述SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺与元器件接触孔的刻蚀工艺为采用同一工艺且同时进行，所述SOI下衬底接触引出区域的金属填充工艺与元器件接触孔的金属填充工艺为采用同一工艺且同时进行。