[发明专利]一种宽带单片集成低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种宽带单片集成低噪声放大器。包括第一级放大器、第二级放大器、第三级放大器、一二级级间匹配和二三级级间匹配。第一级放大器主要由一个NMOS管，一个电阻，四个电感，一个电容和两个偏置电源组成；第二级放大器主要由一个NMOS管，两个电阻，两个电感，一个微带线和两个偏置电源组成；第三级放大器主要由一个NMOS管，两个电阻，两个电感，一个电容，一个微带线和两个偏置电源组成；一二级级间匹配主要由一个电容和一个电感组成；二三级级间匹配主要由一个电容和一个电感组成。本发明具有小型化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点。

主权项

一种宽带单片集成低噪声放大器，其特征在于：包括第一级放大器(100)、第二级放大器(200)、第三级放大器(300)、一二级级间匹配网络(400)以及二三级级间匹配网络(500)；第一级放大器(100)包括NMOS管M1、电阻R1、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、偏置电源VGS1以及偏置电源VDS1；第二级放大器(200)包括NMOS管M2、电阻R2、电阻R3、电感L5、电感L6、微带线TL1、偏置电源VGS2以及偏置电源VDS2；第三级放大器(300)包括NMOS管M3、电阻R4、电阻R5、电感L7、电感L8、电容C2、微带线TL2、偏置电源VGS3以及偏置电源VDS3；一二级级间匹配网络(400)包括电容C3和电感L9；二三级级间匹配网络(500)包括电容C4和电感L10；射频信号RFin通过电容C1和电感L1组成的串联电路输入到NMOS管M1的栅极，NMOS管M1的栅极同时通过电感L2连接至偏置电源VGS1的正极，NMOS管M1的源极通过电感L4接地，NMOS管M1的漏极分为两路，其中一路通过电阻R1和电感L3的串联电路连接至偏置电源VDS1的正极，另一路通过电容C3和电感L9的串联电路连接至第二级放大器(200)中NMOS管M2的栅极，偏置电源VGS1的负极以及VDS1的负极接地；NMOS管M2的栅极通过电阻R2和电感L5的串联电路连接至偏置电源VGS2的正极，NMOS管M2的源极通过微带线TL1接地，NMOS管M2的漏极分为两路，其中一路通过电阻R3和电感L6的串联电路连接至偏置电源VDS2的正极，另一路与电容C4的一端连接，电容C4的另一端同时与电感L10的一端以及第三级放大器(300)中NMOS管M3的栅极连接，电感L10的另一端接地，偏置电源VGS2的负极以及VDS2的负极接地；NMOS管M3的栅极通过电阻R4和电感L7的串联电路连接至偏置电源VGS3的正极，NMOS管M3的源极通过微带线TL2接地，NMOS管M3的漏极分为两路，其中一路通过电阻R5和电感L8的串联电路连接至偏置电源VDS3的正极，另一路与电容C2的一端连接，电容C2的另一端输出射频信号RFout，偏置电源VGS3和VDS3的负极接地。