[发明专利]一种宽带单片集成低噪声放大器

权利要求书

1.一种宽带单片集成低噪声放大器，其特征在于：包括第一级放大器(100)、第二级放大器(200)、第三级放大器(300)、一二级级间匹配网络(400)以及二三级级间匹配网络(500)；

第一级放大器(100)包括NMOS管M1、电阻R1、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、偏置电源VGS1以及偏置电源VDS1；第二级放大器(200)包括NMOS管M2、电阻R2、电阻R3、电感L5、电感L6、微带线TL1、偏置电源VGS2以及偏置电源VDS2；第三级放大器(300)包括NMOS管M3、电阻R4、电阻R5、电感L7、电感L8、电容C2、微带线TL2、偏置电源VGS3以及偏置电源VDS3；一二级级间匹配网络(400)包括电容C3和电感L9；二三级级间匹配网络(500)包括电容C4和电感L10；

射频信号RF_in通过电容C1和电感L1组成的串联电路输入到NMOS管M1的栅极，NMOS管M1的栅极同时通过电感L2连接至偏置电源VGS1的正极，NMOS管M1的源极通过电感L4接地，NMOS管M1的漏极分为两路，其中一路通过电阻R1和电感L3的串联电路连接至偏置电源VDS1的正极，另一路通过电容C3和电感L9的串联电路连接至第二级放大器(200)中NMOS管M2的栅极，偏置电源VGS1的负极以及VDS1的负极接地；

NMOS管M2的栅极通过电阻R2和电感L5的串联电路连接至偏置电源VGS2的正极，NMOS管M2的源极通过微带线TL1接地，NMOS管M2的漏极分为两路，其中一路通过电阻R3和电感L6的串联电路连接至偏置电源VDS2的正极，另一路与电容C4的一端连接，电容C4的另一端同时与电感L10的一端以及第三级放大器(300)中NMOS管M3的栅极连接，电感L10的另一端接地，偏置电源VGS2的负极以及VDS2的负极接地；

NMOS管M3的栅极通过电阻R4和电感L7的串联电路连接至偏置电源VGS3的正极，NMOS管M3的源极通过微带线TL2接地，NMOS管M3的漏极分为两路，其中一路通过电阻R5和电感L8的串联电路连接至偏置电源VDS3的正极，另一路与电容C2的一端连接，电容C2的另一端输出射频信号RF_out，偏置电源VGS3和VDS3的负极接地。

2.根据权利要求1所述的一种宽带单片集成低噪声放大器，其特征在于：NMOS管M1的单指栅宽为25μm，单胞有6指栅条，总栅宽为150μm；NMOS管M2的单指栅宽40μm，单胞有2指栅条，总栅宽为80μm；NMOS管M3的单指栅宽75μm，单胞有2指栅条，总栅宽为150μm。

3.根据权利要求1所述的一种宽带单片集成低噪声放大器，其特征在于：所述R5的阻值为50Ω，实现将输出电阻匹配至50Ω，无需额外配置匹配电路。

4.根据权利要求1所述的一种宽带单片集成低噪声放大器，其特征在于：所述偏置电源VGS1、VGS2、VGS3电压相同，偏置电源VDS1、VDS2、VDS3电压相同。