[发明专利]包括具有非对称多能级的三耦合量子阱结构的光器件有效
| 申请号： | 201611186285.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106980188B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 罗炳勋;朴昌泳;朴勇和 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 称多 能级 耦合 量子 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种光器件，包括：有源层，包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱，其中，该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间，其中，第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间，而且其中，第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
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