[发明专利]偶极子天线中的具备SiO2 有效
| 申请号： | 201611184766.5 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106876269B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张小明;汪曦凌;尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 安徽安芯电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 安徽省池州市经济技*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开一种偶极子天线中的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括：SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂和同轴馈线；所述第一天线臂和第二天线臂包括多个具备SiO |
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| 搜索关键词： | 偶极子 天线 中的 具备 sio base sub | ||
【主权项】：
一种偶极子天线中的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法，其特征在于，所述偶极子天线包括：SOI衬底(1)、第一天线臂(2)、第二天线臂(3)和同轴馈线(4)；所述第一天线臂(2)和第二天线臂(3)包括多个具备SiO2保护层的SPiN二极管串，所述SiO2保护层的SPiN二极管串由依次首尾相连的具备SiO2保护层的SPiN二极管构成，所述SiO2保护层的SPiN二极管的制造方法包括如下步骤：(a)选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(b)利用氧化工艺，对所述有源区沟槽侧壁进行氧化以在所述有源区沟槽侧壁形成氧化层；(c)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层以完成对所述有源区沟槽侧壁的平整化；(d)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(e)光刻引线孔并金属化处理以形成所述SiO2保护层的SPiN二极管。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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