[发明专利]一种轻掺杂漏区的形成方法

摘要

本发明涉及半导体设计及制造技术领域，尤其涉及一种轻掺杂漏区的形成方法，利用栅氧化层对离子注入的阻挡特性，在不同器件区的源漏区形成不同厚度的栅氧化层，对不同剂量能量要求的轻掺杂漏区采取统一注入的方式，通过源漏区不同厚度的栅氧化层对注入的阻挡达到差异注入的效果，从而实现轻掺杂漏区的选择性注入效果，减少光罩和注入次数，降低生产成本。

主权项

一种轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包含第一器件区和第二器件区；在所述第一器件区上定义出第一栅极区和位于所述第一栅极区两侧的第一源漏区，在所述第二器件区上定义出第二栅极区和位于所述第二栅极区两侧的第二源漏区；在所述第一源漏区和所述第二栅极区上形成具有第一厚度的第一栅氧化层，在所述第二源漏区和所述第一栅极区上形成具有第二厚度的第二栅氧化层；在所述第一栅极区上方形成第一栅极，在所述第二栅极区上方形成第二栅极；以及对所述第一源漏区和所述第二源漏区进行统一剂量的离子注入，以在所述第一源漏区中形成具有第一掺杂浓度的第一轻掺杂漏区，在所述第二源漏区中形成具有第二掺杂浓度的第二轻掺杂漏区。