[发明专利]基于钴-分子多铁材料的自旋过滤异质结器件及其制备在审
| 申请号： | 201611169168.0 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206204A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张静;柯三黄 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于钴‑分子多铁材料的自旋过滤异质结器件及其制备，所述的自旋过滤异质结器件包括分别作为源极和漏极的两个钴电极，构成两个钴电极之间的中间散射区材料薄层的分子多铁材料(NH4)3Cr2O8，以及连接分子多铁材料(NH4)3Cr2O8两边的栅极，所述的两个钴电极均为金属材料钴形成的薄层。与现有技术相比，本发明由于分子多铁材料Cs(NH4)CrO8磁性中心铬离子(Cr5+)的3d轨道之间自旋相互作用，其与Co电极表面接触形成了独特的自旋过滤效应，此外，自旋过滤效应性能良好稳定，与器件的半导体衬底的种类无关，易于实现，可以普遍应用于分子半导体电子器件当中。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 多铁材料 过滤 异质结器件 钴电极 薄层 制备 分子半导体 金属材料 电极表面 电子器件 连接分子 种类无关 铬离子 散射区 衬底 漏极 源极 半导体 两边 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于钴‑分子多铁材料的自旋过滤异质结器件，其特征在于，包括分别作为源极和漏极的两个钴电极，构成两个钴电极之间的中间散射区材料薄层的分子多铁材料(NH4)3Cr2O8，以及连接分子多铁材料(NH4)3Cr2O8两边的栅极，所述的两个钴电极均为金属材料钴形成的薄层。
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