[发明专利]一种二次电子发射薄膜的简易制备方法

摘要

本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。

主权项

1.一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，其特征在于，主要按照下列步骤制备：A．以纯金属银、铝、钛为基材材料，经表面磨光、抛光，之后用丙酮和酒精超声波清洗；以纯金属镁充当薄膜材料的溅射源物质；B．将经步骤A所得的基材固定在样品台上，将样品台放入磁控溅射仪进样室，基材在进样室经预溅射清洗后送入可旋转金属基底上；C．对密闭反应室抽真空，对金属基底加热；D．待磁控溅射仪反应室背底真空度抽至一定程度及金属基底加热至一定温度条件下，通入一定流量比的高纯氧气和氩气的混合气体，在反应室真空度回升至反应气压时开始预溅射，预溅射处理一定时间后开始镁靶直流溅射，氩离子轰击靶材所得的镁与腔室里的氧气反应，最终在基材表面沉积获得MgO薄膜；步骤D中，所述基底温度设定在200～500℃；所述气体流量比O₂/Ar为1/90～10/90，反应气压控制在0.8～1.0 Pa之间；溅射源气体高纯氧气纯度为99.999%，高纯氩气纯度为99.999%。