[发明专利]一种CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 201611162190.2 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601764A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王三坡;占琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种CMOS图像传感器，通过设置位于金属栅格上表面的硬掩膜和位于金属栅格侧壁的保护侧墙中至少一个的材质为不透光材料，以降低临近像素光干扰，提高像素的SNR10，从而提升了芯片质量，延长了芯片工作效率，进而提升产品竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底；金属栅格，设置于所述半导体衬底之上；硬掩膜层，设置于所述金属栅格的上表面；保护侧墙，设置于所述半导体衬底之上，并将所述金属栅格和所述硬掩膜层的侧壁表面均予以覆盖；其中，所述硬掩膜层和/或所述保护侧墙的材质为不透明材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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