[发明专利]一种CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 201611162190.2 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601764A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王三坡;占琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 | ||
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
金属栅格，设置于所述半导体衬底之上；
硬掩膜层，设置于所述金属栅格的上表面；
保护侧墙，设置于所述半导体衬底之上，并将所述金属栅格和所述硬掩膜层的侧壁表面均予以覆盖；
其中，所述硬掩膜层和/或所述保护侧墙的材质为不透明材料。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述不透明材料为金属或金属氮化物。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述不透明材料为钨、氮化钛或氮化钽。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属栅格按照从下至上的顺序依次包括底端粘合层、金属层和抗反射层。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属层的材质为铝或钨。
6.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述底端粘合层和所述抗反射层的材质为氮化钛或氮化镍。
7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底包括硅衬底和设置于所述硅衬底之上的氧化物堆叠结构。
8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述氧化物堆叠结构包括依次层叠的N层氧化层，其中1＜N＜5，且N为正整数。
9.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为100～5000埃。
10.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述保护侧墙的厚度为100～1000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
