[发明专利]一种Si基三维Ge量子点晶体光伏型近中红外双色探测器在审
| 申请号： | 201611155285.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106847952A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 马英杰;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/105 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达,魏峯 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Si基三维Ge量子点晶体光伏型近中红外双色探测器，所述探测器结构为PIN或NIP结构的光伏型光电二极管结构，其中以三维Ge量子点晶体作为光吸收区。本发明利用三维Ge量子点晶体内的高效基态微带带间跃迁和价带微带子带间跃迁形成强的近红外和中红外波段光吸收，从而同时实现对近中红外波段的高效双色探测，在红外传感技术领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 三维 ge 量子 晶体 光伏型近中 红外 探测器 | ||
【主权项】：
一种Si基三维Ge量子点晶体光伏型近中红外双色探测器，其特征在于：所述探测器结构为PIN或NIP结构的光伏型光电二极管结构，其中以三维Ge量子点晶体作为光吸收区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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