[发明专利]磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法

摘要

磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，按以下步骤进行：（1）采用SiO₂作为衬底材料经过超声波清洗处理后送入磁控溅射真空室中的样品台；（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；（3）抽真空；（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，或者先在衬底材料表面制成Cr膜，再在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜。本发明采用磁控共溅射方法，制备的高纯薄膜平行于磁各向异性，其粗糙度以及矫顽力有明显的变化，制备时间短，纯度高，设备简单，容易操作，成本低。

主权项

1.一种磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于按以下步骤进行：（1）采用SiO₂作为衬底材料，将衬底材料经过超声波清洗处理后，通过传样品杆传送入磁控溅射真空室中的样品台上；（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；所述的靶材材料分别为纯度≥99.999%的金属材料Cr、X、Y和Z；所述的金属材料X为Ni；所述的金属材料Y为Fe或Cr，所述的金属材料Z为B；（3）抽真空至磁控溅射室的真空度≤2×10^‑5Pa；（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，工作气体为纯度≥99.999%的高纯氩气，溅射气压0.01~0.4Pa，沉积速率为5~10nm/min，靶材到衬底材料的距离为20~30cm，溅射时间1~2 min，在衬底材料表面制成Cr膜；所述的Cr膜的厚度为9~12nm；（5）通过磁控共溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，工作气体为纯度≥99.999%的高纯氩气，溅射气压0.01~0.4Pa，沉积速率为5~10nm/min，靶材到衬底材料的距离为20~30cm，溅射时间5~10 min，在衬底材料表面制成哈斯勒合金薄膜；所述的哈斯勒合金薄膜的成分为X₂YZ，厚度为48~56nm。