[发明专利]光电转换装置及信息处理装置有效
| 申请号： | 201611143924.2 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106887441B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 和田洋一;池田一;郷田达人;太田径介;长谷川利则;小林昌弘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人： | 迟军 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括：第一光电二极管，其被布置在半导体基板中；第二光电二极管，其被布置在半导体基板中；电荷电压转换部，其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极，并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压；以及信号生成部，其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 信息处理 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：第一光电二极管，其被布置在半导体基板中；第二光电二极管，其被布置在半导体基板中；电荷电压转换部，其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极，并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压；以及信号生成部，其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号，其中，在布置有第一光电二极管的有源区域与布置有构成信号生成部的晶体管的有源区域之间以及在布置有第二光电二极管的有源区域与布置有构成信号生成部的晶体管的有源区域之间，布置由绝缘体构成的元件分离部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
