[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201611130412.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106409887B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，包括：衬底；位于所述衬底的栅极结构、发射极和集电极；集电极和发射极分别位于所述衬底的两端；栅极结构包括窄部、第一展宽部和第二展宽部，窄部位于两个发射极之间，第二展宽部位于栅极结构靠近集电极一侧，第一展宽部连接于窄部和第二展宽部之间；第一展宽部的宽度大于窄部的宽度，以填充与发射极连接的位于发射极的第一方向的区域，从而抑制所述发射极边缘的寄生晶体管的开启；二展宽部的宽度大于第一展宽部的宽度。用以解决现有技术中的PNM‑IGBT器件，存在的抗闩锁能力弱的技术问题。实现了在保证器件参数性能的基础上显著的提高抗闩锁能力的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的栅极结构、发射极和集电极；其中，所述集电极和所述发射极分别位于所述衬底的两端；所述栅极结构包括窄部、第一展宽部和第二展宽部，所述窄部位于两个所述发射极之间，所述第二展宽部位于所述栅极结构靠近所述集电极一侧，所述第一展宽部连接于所述窄部和所述第二展宽部之间；其中，所述第一展宽部的宽度大于所述窄部的宽度，以填充与所述发射极连接的位于所述发射极的第一方向的区域，从而抑制所述发射极边缘的寄生晶体管的开启；其中，所述第一方向为，垂直于所述衬底表面，沿所述发射极至所述集电极的方向；其中，所述第二展宽部的宽度大于所述第一展宽部的宽度，以增强所述晶体管的电导调制特性；其中，所述栅极结构位于所述发射极下的区域横向展宽为所述第一展宽部，所述栅极结构的展宽宽度大于等于两个所述发射极的最远距离，使所述发射极下方的区域被所述栅极结构所完全填充。
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