[发明专利]基于NAND flash的读错误处理方法和装置有效
| 申请号： | 201611129100.X | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108614664B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈诚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的读错误处理方法和装置，应用于NAND flash存储设备，所述NAND flash存储设备包括至少一个NAND flash单元，每个NAND flash单元包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页。所述方法包括：当目标数据块发生读错误时，记录发生读错误的数据页在目标数据块的位置；累加目标数据块的读错误页数，判断所述读错误页数是否超过预设阈值；当判断出所述读错误页数超过所述预设阈值时，将目标数据块标记为坏块。本发明实施例解决了现有技术中数据块因出现读错误而被标记为坏块所造成的存储空间浪费的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nand flash 错误 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于NAND flash的读错误处理方法，应用于NAND flash存储设备，所述NAND flash存储设备包括至少一个NAND flash单元，每个NAND flash单元包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，其特征在于，所述方法包括：当目标数据块发生读错误时，记录发生读错误的数据页在目标数据块的位置；累加目标数据块的读错误页数，判断所述读错误页数是否超过预设阈值；当判断出所述读错误页数超过所述预设阈值时，将目标数据块标记为坏块。
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