[发明专利]基于NAND flash的读错误处理方法和装置有效
| 申请号： | 201611129100.X | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108614664B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈诚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 nand flash 错误 处理 方法 装置 | ||
1.一种基于NAND flash的读错误处理方法，应用于NAND flash存储设备，所述NANDflash存储设备包括至少一个NAND flash单元，每个NAND flash单元包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，其特征在于，所述方法包括：
当目标数据块发生读错误时，记录发生读错误的数据页在目标数据块的位置；
累加目标数据块的读错误页数，判断所述读错误页数是否超过预设阈值；
当判断出所述读错误页数超过所述预设阈值时，将目标数据块标记为坏块；
其中，当所述读错误页数未超过所述预设阈值时，继续对所述NAND flash存储设备的目标数据进行读取，累加所述读错误页数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当对目标数据块的数据页的写操作发生时，在所述位置对应的数据页中写入无效数据。
3.一种基于NAND flash的读错误处理装置，应用于NAND flash存储设备，所述NANDflash存储设备包括至少一个NAND flash单元，每个NAND flash单元包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，其特征在于，所述装置包括：
位置记录模块，用于当目标数据块发生读错误时，记录发生读错误的数据页的位置；
累加判断模块，用于累加目标数据块的读错误页数，判断所述读错误页数是否超过预设阈值；其中，当所述读错误页数未超过所述预设阈值时，继续对所述NAND flash存储设备的目标数据进行读取，累加所述读错误页数；
坏块标记模块，用于当累加判断模块判断出超过所述预设阈值时，将目标数据块标记为坏块。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
无效数据写入模块，用于当对目标数据块的数据页的写操作发生时，在所述位置对应的数据页中写入无效数据。
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